具有改善的逆向突波能力及减少的漏电流的多晶矽层之齐纳二极体;ZENER DIODE HAVING A POLYSILICON LAYER FOR IMPROVED REVERSE SURGE CAPABILITY AND DECREASED LEAKAGE CURRENT

摘要

像是齐纳二极体的半导体极装置包括第一导电性类型的第一半导体材料以及与第一半导体接触的第二导电性类型的第二半导体材料，用以在其之间形成接面。第一氧化物层系设置在第二半导体材料之一部分之上，使得第二半导体材料之剩余部分被曝露。多晶矽层系设置在第二半导体材料之曝露部分以及第一氧化物层之一部分上。第一导电层系设置在多晶矽层上。第二导电层系设置在相对与第二半导体材料接触的第一半导体材料之表面的第一半导体材料之表面上。