Ein Transistordesign

摘要

Einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf eine Transistorvorrichtung in einem Halbleitersubstrat beinhaltend Dotierstoffunreinheiten einer ersten Unreinheitsklasse. Die Transistorvorrichtung beinhaltete einen Kanal zusammengesetzt aus einer delta-dotierten Schicht umfassend Dotierstoffunreinheiten einer ersten Unreinheitsklasse, und die so konfiguriert ist um eine Spitzendotierstoffkonzentration innerhalb des Kanals hervorzubringen. Der Kanal beinhaltet weiter eine Schicht eines karbonbeinhaltenden Materials überliegend die delta-dotierte Schicht, und die konfiguriert ist um Rückdiffusion von Dotierstoffen der delta-dotierten Schicht und dem Halbleitersubstrat zu verhindern. Der Kanal beinhaltet auch eine Schicht Substratmaterial überliegend die Schicht des karbonbeinhaltenden Material, und die konfiguriert ist um eine steiles retrogrades Dotierstoffkonzentrationsprofil in Nähe einer Oberfläche des Kanals zu erreichen. In einigen Ausführungsformen unterliegt eine gegendotierte Schicht die delta-dotierte Schicht, die konfiguriert ist um Verlust innerhalb des Halbleitersubstrats zu reduzieren, und die Dotierstoffunreinheiten einer zweiten Unreinheitsklasse beinhaltet, welche entgegengesetzt ist zur ersten Unreinheitsklasse.