发明名称 METHODS FOR FORMING NARROW VERTICAL PILLARS AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICES HAVING THE SAME
摘要 일부 실시예들에서, 집적 회로는 집적 회로에 형성된 개구부들을 채우는 좁은 수직 연장 필라들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 개구부들은 상 변경 메모리 셀을 형성하기 위해 상 변경 물질을 포함할 수 있다. 필라들에 의해 점유되는 개구부들은 상이한 수직 레벨들 상에 형성되는 희생 물질의 교차 라인들, 예를 들어 스페이서들을 사용하여 정의될 수 있다. 물질의 라인들은 매우 얇은 라인들의 형성을 허용하는 증착 공정들에 의해 형성될 수 있다. 라인들의 교차점에서의 노출된 물질은 개구부들을 형성하기 위해 선택적으로 제거되며, 이는 라인들의 폭들에 의해 결정되는 치수들을 갖는다. 개구부들은 예를 들어 상 변경 물질로 채워질 수 있다.
申请公布号 KR20150083104(A) 申请公布日期 2015.07.16
申请号 KR20157014691 申请日期 2013.11.07
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 LIU JUN;PAREKH KUNAL
分类号 H01L45/00;H01L27/24 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人
主权项
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