| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft eine Trench-MOSFET-Transistorvorrichtung, ein Substrat für Trench-MOSFET-Transistorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Trench-MOSFET-Transistorvorrichtung umfasst ein Substrat (1) eines ersten Leitungstyps (n+) mit einer Vorderseite (V) und einer Rückseite (R); einen Drainanschlussbereich (1a) des ersten Leitungstyps (n+) an der Rückseite (R) des Substrats (1), einen sich an den Drainanschlussbereich (1a) anschließenden Driftbereich (1b) des ersten Leitungstyps (n–), einen sich an den Driftbereich (1b) anschließenden ersten Dotierungsbereich (1c) des zweiten Leitungstyps (p) und einen Sourceanschlussbereich (5) des ersten Leitungstyps (n+) an der Vorderseite (V) des Substrats (1); einen ersten Graben (G) mit einer ersten Tiefenerstreckung (T), der ausgehend von der Vorderseite (V) des Substrats (1) in dem Sourceanschlussbereich (5), dem ersten Dotierungsbereich (1c) und dem Driftbereich (1b) gebildet ist und in dem eine Gatestruktur (3, 30) so angeordnet sind, dass durch Anlegen einer Spannung ein Kanalbereich (K) zwischen dem Driftbereich (1b) und dem Sourceanschlussbereich (5) in dem ersten Dotierungsbereich (1c) bildbar ist; einen zweiten Graben (G’; G1’, G2’, G3’) mit einer zweiten Tiefenerstreckung (T‘), welche geringer als die erste Tiefenerstreckung (T) ist, welcher ausgehend von der Vorderseite (V) in dem ersten Dotierungsbereich (1c) seitlich vom Sourceanschlussbereich (5) angeordnet ist; und einen unterhalb des zweiten Grabens (G’; G1’, G2’, G3’) vergrabenen zweiten Dotierungsbereich (I; I’) des zweiten Leitungstyps (p+) mit einer dritten Tiefenerstreckung (T‘‘), welche mindestens so groß wie die erste Tiefenerstreckung (T) ist.</p> |
