半导体晶片之制造方法、半导体晶片及半导体装置

摘要

本发明之实施形态系关于一种半导体晶片之制造方法、半导体晶片及半导体装置。;实施形态之半导体晶片之制造方法包括如下步骤：于半导体基板上形成分别包含保护膜之复数个蚀刻掩膜，而划定上述半导体基板中之被上述复数个蚀刻掩膜保护之复数个第1区域、及上述半导体基板中之露出之区域即第2区域；以及藉由化学性蚀刻处理将上述第2区域各向异性地去除，而形成分别具有至少一部分位于与上述蚀刻掩膜之端面为同一面内之侧壁、及到达至上述半导体基板之背面之底部的复数个沟槽，藉此，将上述半导体基板单片化为与上述复数个第1区域对应之复数个晶片本体。