发明名称 成膜方法及成膜装置
摘要 提供一种在藉由原子层沈积法进行成膜时,可使处理空间之气体的置换效率良好而确保良好的膜厚控制性之成膜方法及成膜装置。在藉由原子层沈积法,形成预定膜时,一边经常地将冲洗气体供给至处理空间,一边依序间歇地供给复数个处理气体,将供给至处理空间内之冲洗气体的流量设成为无关处理容器内的压力而藉由以形成有前述薄单位膜之模式为主体的成膜模式进行成膜的流量,该原子层沈积法,系对处理空间,依序间歇地供给复数个处理气体,并且在供给各处理气体之后,藉由冲洗气体来冲洗处理气体,在被处理基板上使该些复数个处理气体反应,重复复数次形成薄单位膜的操作,而形成预定厚度的膜。
申请公布号 TW201528405 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103135056 申请日期 2014.10.08
申请人 东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 芦泽宏明 ASHIZAWA, HIROAKI;佐藤三铃 SATO, MISUZU
分类号 H01L21/67(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP
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