| 发明名称 |
基板处理方法及基板处理装置 |
| 摘要 |
提供在产生分子量大之副生成物的制程中，可以充分确保处理均匀性之基板处理方法及基板处理装置。使用蚀刻装置(5)，该蚀刻装置具备有收容基板(W)之腔室(40)、对腔室(40)供给蚀刻气体之气体供给机构(43)、对腔室(40)内进行排气之涡轮分子泵(84)之排气机构(44)，对腔室(40)内供给处理气体，并在腔室(40)内之基板(W)上使处理气体反应而对基板进行处理。然后，藉由处理气体之反应，生成分子量较处理气体大之副生成物之情况下，将腔室(40)内之压力当作特定值，而调节涡轮分子泵(84)之旋转数，藉此调节处理之均匀性。 |
| 申请公布号 |
TW201528372 |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
| 申请号 |
TW103134891 |
申请日期 |
2014.10.07 |
| 申请人 |
东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
高桥宏幸 TAKAHASHI, HIROYUKI;权泰春 KWON, TAECHUN |
| 分类号 |
H01L21/311(2006.01);H01L21/67(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
