利用离子布植于非晶碳膜中开发高蚀刻选择性的硬光罩材料;DEVELOPMENT OF HIGH ETCH SELECTIVE HARDMASK MATERIAL BY ION IMPLANTATION INTO AMORPHOUS CARBON FILMS,申请号TW104100316-传众专利搜索

发明名称	利用离子布植于非晶碳膜中开发高蚀刻选择性的硬光罩材料;DEVELOPMENT OF HIGH ETCH SELECTIVE HARDMASK MATERIAL BY ION IMPLANTATION INTO AMORPHOUS CARBON FILMS
摘要	本文描述的实施例提供一种形成蚀刻选择性硬光罩之方法。非晶碳硬光罩经用多种掺杂剂布植以增加该硬光罩之硬度及密度。非晶碳硬光罩之离子布植同样保持或降低该硬光罩之内应力。蚀刻选择性硬光罩通常在高阶NAND及DRAM装置中提供改良图案化。
申请公布号	TW201528334	申请公布日期	2015.07.16
申请号	TW104100316	申请日期	2015.01.06
申请人	应用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.	发明人	曼纳帕拉米特 MANNA, PRAMIT;马里克爱柏亥吉巴苏 MALLICK, ABHIJIT BASU;葛迪鲁多维 GODET, LUDOVIC;陈咏梅 CHEN, YONGMEI;薛君 XUE, JUN;史瑞尼凡生慕库德 SRINIVASAN, MUKUND;叶怡利 YIEH, ELLIE Y.;奈马尼史林尼法斯Ｄ NEMANI, SRINIVAS D.
分类号	H01L21/02(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F1/68(2012.01)	主分类号	H01L21/02(2006.01)
代理机构		代理人	蔡坤财李世章
主权项
地址	美国 US