发明名称 高電圧ドライバ
摘要 高電圧ドライバ(12)を備える回路が開示されている。高電圧ドライバは、P型電界効果トランジスタ、すなわちPFET(14)と、ソースバイアス回路(16)とを備えている。ソースバイアス回路は、低電圧入力信号(LVI)を受信し、この低電圧入力信号に直流、すなわちDCのバイアスをかけてDCバイアス信号(DBI)を供給する。PFETは、第1ソースと第1ゲートと第1ドレインとを有している。第1ソースは、DCバイアス信号を受信する。第1ゲートは、第1低電圧DC電源信号(DC1)を受信する。第1ドレインは、DCバイアス信号と第1低電圧DC電源信号とに基づいて、高電圧出力信号(HVO)を供給する。この点に関して、高電圧ドライバは、低電圧入力信号を受信及び変換して、高電圧出力信号を供給する。
申请公布号 JP2015520537(A) 申请公布日期 2015.07.16
申请号 JP20150504676 申请日期 2013.04.02
申请人 クリー インコーポレイテッドCREE INC. 发明人 キャラナン ロバート ジェイ.
分类号 H03K17/687;H03K19/0175 主分类号 H03K17/687
代理机构 代理人
主权项
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