半导体元件及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

一种半导体元件的制造方法。提供具有第一区与第二区的基底。第一区的基底上已形成多个堆叠闸极结构。各堆叠闸极结构包括穿隧介电层、电荷储存层、闸间介电层、控制闸极，且相邻的两个堆叠闸极结构之间具有间隙。第二区的基底上已形成至少一闸极结构。在基底上共形地形成衬层。在第二区中形成覆盖衬层的介电层。在闸极结构的顶部及闸极结构的两侧的基底上形成金属矽化物层。进行接触窗制程，以形成连接至该金属矽化物层的多个接触窗。