| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung poröser Partikel umfassend die folgenden Schritte: a) Aufdotieren eines oberflächennahen Bereichs (2) eines Halbleitersubstrats (1), so dass die Dotierung im oberflächennahen Bereich (2) des Halbleitersubstrats (1) im Vergleich zum an den oberflächennahen Bereich (2) angrenzenden Bereich des Halbleitersubstrats (1) erhöht wird, b) Erzeugen von gitterförmigen Ausnehmungen (3) in dem Halbleitersubstrat (1), so dass von den Ausnehmungen (3) innere Bereiche des Halbleitersubstrats (1) eingeschlossen werden, die jeweils die lateralen Dimensionen eines zu bildenden porösen Partikels (5) festlegen, c) Porosifizieren des Halbleitersubstrats (1), d) optional Funktionalisieren der porösen Partikel, e) Ablösen der porösen Partikel, wobei unterhalb des die porösen Partikel (5) ausbildenden aufdotierten oberflächennahen Bereichs (2) ein Bereich mit höherer Porosität (6) gegenüber dem oberflächennahen Bereich (2) ausbildet wird.</p> |
