半导体装置之制造方法、片状树脂组合物及切割带一体型片状树脂组合物

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，其可于自晶圆剥离支持构件后对晶圆进行清洗时，抑制片状树脂组合物之溶解，而良率良好地制造半导体装置。本发明系一种半导体装置之制造方法，其包括：步骤A，其准备晶圆；步骤B，其将上述晶圆之第2主面、与于支持体上形成有暂时固定层之支持构件，介隔该暂时固定层贴合；步骤C，其准备于切割带上积层有紫外线硬化型之片状树脂组合物者；步骤D，其贴合上述晶圆之第1主面与上述片状树脂组合物；步骤E，其于上述步骤D之后，将上述支持构件自上述晶圆剥离；及步骤F，其于上述步骤E之后，对上述晶圆之第2主面进行清洗；进而，包含步骤S，其于上述步骤D之后且上述步骤F之前，藉由紫外线照射而使俯视下不与上述晶圆重复之上述片状树脂组合物之周缘部硬化。