沟槽式功率金氧半场效电晶体与其制造方法;TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

一种沟槽式功率金氧半场效电晶体与其制造方法，沟槽式功率金氧半场效电晶体的磊晶层中形成有一内埋式的氧化物层，其位于基体区域的下方，用以改变纵向电场分布以提高电晶体的崩溃电压，藉此得到较低的导通电阻。