发明名称 晶圆的双面硏磨方法
摘要 本发明是一种晶圆的双面研磨方法,其包含下述步骤:修整步骤,其使用修整板,对已贴附在上平台和下平台上的研磨布实行修整;及,研磨步骤,其同时地研磨晶圆的双面;并且,在研磨步骤中,相对于修整时的修整板的公转方向,一边使载具朝反方向公转一边进行研磨,将研磨浆调制成悬浮有胶体二氧化矽之pH10~12的硷性基质的浆液,并将胶体二氧化矽设成是平均二次粒径为170nm~230nm、标准偏差为41nm以下的第一磨粒与平均二次粒径为68.7nm~115.5nm、标准偏差为12nm以下的第二磨粒混合而成,且将研磨浆设成含有0.5~1.4质量%的第一磨粒且含有1.4~2.5质量%的第二磨粒。;藉此,可提供一种晶圆的双面研磨方法,其能够同时达成无残骸化与防止由于晶圆的外周塌边所导致的平坦性恶化。
申请公布号 TW201527044 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103126049 申请日期 2014.07.30
申请人 信越半导体股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 佐藤一弥 SATO, KAZUYA;田中佑宜 TANAKA, YUKI;小林修一 KOBAYASHI, SYUICHI
分类号 B24B53/12(2006.01);B24B55/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 B24B53/12(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财李世章
主权项
地址 日本 JP