发明名称 |
SiC-Trench-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Es wird ein SiC-Trench-Transistor (1) mit einem ersten Anschluss (2), einer vertikal zwischen einem Gate-Trench (3) und einem zweiten Anschluss (5) angeordneten Epitaxieschicht (4) beschrieben, wobei eine sich horizontal erstreckende Kompensationsschicht (6) in der Epitaxieschicht (4) vorgesehen ist, die eine effektive Dotierung mit entgegengesetztem Typ zu der Dotierung der Epitaxieschicht (4) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines SiC-Trench-Transistors (1) vorgeschlagen, wobei eine Epitaxieschicht (4) auf einem zweiten Anschluss (5) des SiC-Trench-Transistors (1) vorgesehen wird; eine sich horizontal erstreckende Kompensationsschicht (6) in die Epitaxieschicht (4) implantiert wird, die eine effektive Dotierung mit entgegengesetztem Typ zu der Dotierung der Epitaxieschicht (4) aufweist; und ein erster Anschluss (2) und ein Gate-Trench (3) oberhalb der Kompensationsschicht (6) vorgesehen wird. |
申请公布号 |
DE102014200613(A1) |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
申请号 |
DE201410200613 |
申请日期 |
2014.01.15 |
申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
QU, NING;JACKE, THOMAS;GRIEB, MICHAEL;RAMBACH, MARTIN |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/161;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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