发明名称 Zuletzt geschnittene selbstadjustierende Litho-Ätz Strukturierung
摘要 <p>Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Verfahren zur Durchführung eines selbstadjustierten Litho-Ätz(SALE)Prozesses. In einigen Ausführungsformen wird das Verfahren durchgeführt durch bilden eines Beabstandungsmaterials über einem Substrat aufweisend eine Mehrfachschicht-Hartmaske mit einer ersten Schicht und einer unterliegenden zweiten Schicht, um eine erste Schneidschicht bereitzustellen, und bilden eines reversen Materials über dem Beabstandungsmaterial, um eine zweite Schneidschicht zu bilden. Eine zweite Vielzahl von Öffnungen, geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht, wird gebildet um die zweite Schicht an Positionen entsprechend einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht zu exponieren. Eine erste Vielzahl von Öffnungen, geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht, wird gebildet, um die zweite Schicht an Positionen entsprechend einer ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht zu exponieren. Die zweite Schicht wird gemäß der ersten und zweiten Vielzahl von Öffnungen geätzt.</p>
申请公布号 DE102014019374(A1) 申请公布日期 2015.07.16
申请号 DE20141019374 申请日期 2014.12.22
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MFG. CO., LTD. 发明人 HUANG, KUAN-WEI,;LEE, CHIA-YING,;LIANG, MING-CHUNG,
分类号 H01L21/027;H01L27/11 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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