平面式异质装置;PLANAR HETEROGENEOUS DEVICE

摘要

一实施例中一第二半导体层被转移(比如：利用层转移技术)至一第一半导体层之顶部。该第二层被图形化至所需之凹井。该第一层裸露于该凹井之间。露出之该第一层磊晶成长出至该转移第二层之高度以形成包括S1及S2的平面异质基材。前述异质材料可被利用使得如：利用III-V族或IV族材料所形成之一P型通道装置与利用III-V族或IV族材料所形成之一N型通道装置呈共平面。此一实施例不需考量晶格参数是否匹配是因为第二层是被层转移至第一层上。而且，不需要(或少部分需要)缓冲层和/或异质-磊晶。其它实施例将在文中描述。