| 发明名称 |
半导体结构及其形成方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME |
| 摘要 |
一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基板及浮动闸极。浮动闸极具有第一侧壁及第二侧壁形成在基板上。半导体结构还包括绝缘层，形成在基板上覆盖浮动闸极的第一侧壁及第二侧壁的上部分，以及控制闸极，形成在绝缘层上。此外，浮动闸极为鲨鱼鳍状。 |
| 申请公布号 |
TW201528521 |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
| 申请号 |
TW103133868 |
申请日期 |
2014.09.30 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
张友龄 CHANG, YU LING |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
