半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明提供一种导通(开启)时的电流大的电晶体。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。