形成铁电记忆体单元之方法及相关之半导体装置结构;METHODS OF FORMING A FERROELECTRIC MEMORY CELL AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES STRUCTURES

摘要

本发明揭示一种形成一铁电记忆体单元之方法。该方法包括形成展现一所要主要结晶定向之一电极材料。一铪基材料形成于该电极材料上且该铪基材料经结晶以引发具有一所要结晶定向之一铁电材料之形成。本发明亦描述额外方法，如包含铁电材料之半导体装置结构。