| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置之制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
同时做到既提高了配线沟之填埋特性，又抑制了配线与连接构件之间出现之连接不良。在通过接触件(CON)且位于与第2配线(INC2)延伸方向上成直角之剖面中，接触件(CON)的中心比第2配线(INC2)的中心更靠近第2配线(INC2)的第1侧面(SID1)。而且，第2配线(INC2)之第1侧面(SID1)中，如果将在第2配线(INC2)之延伸方向上与接触件(CON)重叠之区域作为重叠区域(OLP)之情况下，至少重叠区域(OLP)下部之倾斜度比第2配线(INC2)侧面之其他部分之倾斜度更大。 |
| 申请公布号 |
TW201528509 |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
| 申请号 |
TW103135048 |
申请日期 |
2014.10.08 |
| 申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
桑岛照弘 KUWAJIMA, TERUHIRO |
| 分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
日本 JP |
