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发明名称
半导体元件及其形成方法;MECHANISMS FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATION STRUCTURE
摘要
一种半导体元件,其包括具有较上表面之半导体基底。半导体元件还包括自较上表面延伸进入半导体基底之中的凹陷。半导体元件更包括位于凹陷中之隔离结构。隔离结构具有较上部分及较下部分,且较下部分所含之碳浓度大于较上部分所含之碳浓度。
申请公布号
TW201528458
申请公布日期
2015.07.16
申请号
TW103126707
申请日期
2014.08.05
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
庄子毅 CHUANG, ZIH I;吴俊达 WU, CHUN TA;张嘉伦 CHANG, CHIA LUN
分类号
H01L23/48(2006.01);H01L21/76(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
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