发明名称 半导体元件及其形成方法;MECHANISMS FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATION STRUCTURE
摘要 一种半导体元件,其包括具有较上表面之半导体基底。半导体元件还包括自较上表面延伸进入半导体基底之中的凹陷。半导体元件更包括位于凹陷中之隔离结构。隔离结构具有较上部分及较下部分,且较下部分所含之碳浓度大于较上部分所含之碳浓度。
申请公布号 TW201528458 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103126707 申请日期 2014.08.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 庄子毅 CHUANG, ZIH I;吴俊达 WU, CHUN TA;张嘉伦 CHANG, CHIA LUN
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW