| 发明名称 | 氮化镓和金属氧化物的复合衬底 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种解决与衬底表面质量相关的问题的新颖复合衬底。所述复合衬底具有至少两个层，其包括由Ga<sub>x</sub>Al<sub>v</sub>In<sub>1-x-y</sub>N(0≤x≤1，0≤x+y≤1)组成的第一层和由金属氧化物组成的第二层，其中所述第二层可利用原位蚀刻在高温下移除，且其中所述金属氧化物的一部分或多个部分定位于穿透位错的端点或堆积缺陷的端线处以提供局部掩模来防止所述穿透位错或堆积缺陷的传播。所述金属氧化物层经设计用作所述第一层的保护层直到制作装置为止。所述金属氧化物层经设计，以便可在所述装置的制作反应器中借助气相蚀刻通过反应性气体(例如氨)将其移除。 | ||
| 申请公布号 | CN104781910A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201380048079.9 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 希波特公司;首尔半导体股份有限公司 | 发明人 | 桥本忠朗 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 章蕾 |
| 主权项 | 一种用于装置制作的复合衬底，其包括由Ga<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>In<sub>1‑x‑y</sub>N(0≤x≤1，0≤x+y≤1)组成的第一层和附接到所述第一层的表面的第二层，其中所述第二层由金属氧化物组成，所述第二层部分或完全覆盖所述第一层且可通过原位蚀刻在装置制作反应器中移除。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||