| 发明名称 | 沟槽型功率MOS晶体管及其制造方法和集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽型功率MOS晶体管及其制造方法和集成电路，其中，所述沟槽型功率MOS晶体管包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽；形成于所述衬底上并填满所述沟槽的多晶硅栅极；其中，所述多晶硅栅极中设置有一多晶硅化物层。在本发明提供的沟槽型功率MOS晶体管及其制造方法和集成电路中，通过在多晶硅栅极的中间设置多晶硅化物层，有效地降低了栅极结构的电阻，从而降低了沟槽型功率MOS晶体管的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN104779294A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510187498.1 | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 吴亚贞;刘宪周 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种沟槽型功率MOS晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽；形成于所述衬底上并填满所述沟槽的多晶硅栅极；其中，所述多晶硅栅极中设置有一多晶硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||