| 发明名称 | 一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路，包括状态检测电路、状态判断控制电路和状态转换电路，状态检测电路用于将可变电阻两端的净电压脉冲VR进行延迟处理得到电压信号VR_DL；状态判断控制电路用于将电压信号VR_DL与状态翻转阈值电压(Vset，Vreset)进行比较，确定可变电阻的翻转状态；状态转换电路用于根据确定的可变电阻的翻转状态确定可变电阻的等效阻值。本实用新型解决了现有的仿真建模方法存在仿真时间长、产生仿真文件大的技术问题，本实用新型能够较为真实的拟合可变电阻的电气特性，反映可变电阻的在不同工作条件下的记忆或存储信息的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN204480250U | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201520065821.3 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 西安华芯半导体有限公司 | 发明人 | 谢永宜 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 张倩 |
| 主权项 | 一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路，其特征在于：包括状态检测电路(12)、状态判断控制电路(13)和状态转换电路(14)，所述状态检测电路(12)用于将可变电阻两端的净电压脉冲VR进行延迟处理得到电压信号VR_DL；所述状态判断控制电路(13)用于将电压信号VR_DL与状态翻转阈值电压(Vset，Vreset)进行比较，确定可变电阻的翻转状态；所述状态转换电路(14)用于根据确定的可变电阻的翻转状态确定可变电阻的等效阻值。 | ||
| 地址 | 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 | ||