| 发明名称 | 透明导电性薄膜 | ||
| 摘要 | 一种透明导电性薄膜，其包括设置在薄膜基底的一个表面上的聚合物层，和设置在聚合物层上的透明导电层，薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸。薄膜基底的折射率η1与聚合物层的折射率η2的差|η1-η2|设置为至多0.02。聚合物层含有折射率ηP为至少1.80的金属氧化物颗粒，以及固定该颗粒、且折射率ηB为至少1.60的粘结剂。金属氧化物颗粒相对于粘结剂的质量比设置为大于0％且等于或小于100％。 | ||
| 申请公布号 | CN102029756B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201010510629.2 | 申请日期 | 2010.08.19 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 才木隆史;今村直也 |
| 分类号 | B32B27/08(2006.01)I;B32B27/18(2006.01)I;B32B27/36(2006.01)I | 主分类号 | B32B27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东;谭邦会 |
| 主权项 | 一种透明导电性薄膜，其包括：薄膜基底，所述薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸；聚合物层，所述聚合物层在所述薄膜基底的一个表面上形成，并含有折射率ηP为至少1.80的金属氧化物颗粒，及固定所述颗粒、且折射率ηB为至少1.60的粘结剂，所述颗粒相对于所述粘结剂的质量比为至多100％，所述薄膜基底的折射率η1与所述聚合物层的折射率η2的差为至多0.02；和在所述聚合物层上形成的透明导电层，其中作为所述粘结剂的聚合物的玻璃化转变温度Tg为至少90℃。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||