| 发明名称 | 氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供氮化物半导体衬底、其制造方法以及使用其的氮化物半导体装置。通过研究具有与内部区域相比特别优秀品质的最外表面(表层区域)的氮化物半导体衬底以及表面加工方法，提供释放最外表面(表层区域)的应变、可在最外表面上设置高品质层的氮化物半导体衬底。该衬底具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，利用从相对于所述表面倾斜的特定非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面深度为0～250nm的表层区域的半值宽度比距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度窄。 | ||
| 申请公布号 | CN102212883B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201010518494.4 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 大岛佑一;吉田丈洋 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体衬底，其特征在于，所述衬底为GaN自支撑衬底、AlN自支撑衬底或Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N自支撑衬底，其中0<x<1，所述衬底具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，利用从相对于所述表面倾斜的非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面的深度为0～250nm的表层区域的半值宽度是距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度的90％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||