发明名称 |
具有嵌入式元件的集成电路封装 |
摘要 |
本申请公开了半导体管芯封装,其中,该半导体管芯封装具有嵌入在电介质基板中的第一和第二分立元件。集成电路(IC)管芯表面安装在电介质基板的第一侧上。半导体管芯封装包括位于电介质基板的第二侧上的多个导电区,用于安装半导体管芯封装。多个贯通过孔将IC管芯耦接至第一和第二分立元件以及多个导电区。 |
申请公布号 |
CN102142415B |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201010603886.0 |
申请日期 |
2010.12.22 |
申请人 |
飞兆半导体公司 |
发明人 |
卢克·英格兰;道格拉斯·阿伦·霍克斯 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 |
代理人 |
武晨燕;张颖玲 |
主权项 |
一种功率转换器,包括:电介质基板,具有第一侧和与第一侧相对的第二侧;高侧金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),嵌入在电介质基板中;低侧MOSFET,嵌入在电介质基板中;集成电路管芯,表面安装在电介质基板的第一侧并电耦接至高侧MOSFET和低侧MOSFET,其中在横截面中,集成电路管芯至少部分地与高侧MOSFET和低侧MOSFET中的每一个重叠;电绝缘材料,设置在集成电路管芯的顶部上以及电介质基板第一侧的至少一部分上;多个导电区,位于电介质基板的第二侧上,用于安装电介质基板,其中位于电介质基板的第二侧上的所述多个导电区之一电耦接至高侧MOSFET的源极和低侧MOSFET的源极;以及多个贯通过孔,设置在电介质基板内,所述多个贯通过孔中的至少一个将集成电路管芯电耦接至所述多个导电区中的至少一个。 |
地址 |
美国缅因州 |