一种铌酸锂衬底及其制造方法

摘要

本发明提供一种铌酸锂衬底的制造方法，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素。本发明还提供一铌酸锂衬底，所述铌酸锂衬底通过生长铌酸锂晶体形成，所述铌酸锂衬底为在所述铌酸锂晶体的生长的过程中掺入光折变元素的衬底，采用所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本，能更有效地提高LED的发光亮度，加快LED在通用照明领域中的应用。

主权项

一种铌酸锂衬底的制造方法，所述铌酸锂衬底是用于制备LED芯片的衬底，其特征在于，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素，采用多光束激光干涉法，利用相干激光束照射所述铌酸锂衬底，对所述铌酸锂衬底的表面进行折射率的调制。