NAND快闪存储器的错误校正方法

摘要

本发明提供一种NAND快闪存储器的错误校正方法，该方法包括：当一NAND快闪存储器中的一第一页被写入一第一数据时，根据该第一页发生位错误的机率，决定该第一页所对应的错误校正码的类型，以及根据该第一页所对应的错误校正码的类型与该第一数据，产生一第一错误校正码。如此，针对发生位错误的机率较高的页可使用校正能力较强的错误校正码，以减少不可使用的区块的数目，来延长NAND快闪存储器的使用寿命。针对发生位错误的机率较低的页可使用校正能力较弱的错误校正码，以增加NAND快闪存储器的可使用容量。

主权项

一种NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，所述NAND快闪存储器的错误校正方法包括：当一NAND快闪存储器中的一第一页被写入一第一数据时，根据所述第一页发生位错误的机率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型；根据所述第一页所对应的错误校正码的类型与所述第一数据，产生一第一错误校正码；当储存于所述第一页的所述第一数据被读取时，根据所述第一错误校正码，对储存于所述第一页的所述第一数据进行错误校正；根据所述第一错误校正码对所述第一数据进行错误校正时所侦测到的错误位的数目，得到所述第一页的误码率；根据所述第一页的误码率，再次决定所述第一页所对应的错误校正码的类型；以及当根据所述第一页的误码率而决定的所述第一页所对应的错误校正码的类型与所述第一错误校正码的类型不同时，根据从所述第一页所读取的所述第一数据与根据所述第一页的误码率而决定的所述第一页所对应的错误校正码的类型，产生一第二错误校正码。