发明名称 |
一种台阶结构的高亮度发光二极管 |
摘要 |
本发明公开了一种台阶结构的发光二极管,所述发光二极管的结构为:在蓝宝石衬底上依次具有低温缓冲层、n型掺杂的Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>N层、交替形成的超晶格结构的n-Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>N/n-AI<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>P多量子阱层、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.95</sub>N层、交替形成的超晶格结构的p-In<sub>0.1</sub>Ga<sub>0.95</sub>N/p-In<sub>0.1</sub>Ga<sub>0.95</sub>P多量子阱层,第一透明金属层以及p型电极,其中在所述n型掺杂的Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>N层上具有第二透明金属层以及n电极。 |
申请公布号 |
CN103178172B |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201310065313.0 |
申请日期 |
2013.02.28 |
申请人 |
溧阳市宏达电机有限公司 |
发明人 |
童小春 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
黄明哲 |
主权项 |
一种台阶结构的发光二极管,其特征在于:所述发光二极管的结构为:在蓝宝石衬底上依次具有低温缓冲层、n型掺杂的Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>N层、交替形成的超晶格结构的n‑Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>N/n‑Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>P多量子阱层、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.95</sub>N层、交替形成的超晶格结构的p‑In<sub>0.1</sub>Ga<sub>0.9</sub>N/p‑In<sub>0.1</sub>Ga<sub>0.9</sub>P多量子阱层,第一透明金属层以及p型电极,其中在所述n型掺杂的Al<sub>0.05</sub>In<sub>0.05</sub>Ga<sub>0.9</sub>N层上具有第二透明金属层以及n型电极。 |
地址 |
213300 江苏省常州市溧阳市北门东路86号 |