光刻返工去胶工艺

摘要

本发明公开了一种光刻返工去胶工艺包括提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶；使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝光；对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。本发明不需要利用等离子干法灰化，不存在高温制程，也不需要用到强氧化性或强酸性的化学液，因而不会对晶圆表面的薄膜产生损伤或改性。本发明工艺简单，原料消耗少，可以提高整个制造工艺流程的稳定和可制造性能，并且能增大最大光刻返工次数的限制，为研究开发和大量生产提供更大的工艺容错度。

主权项

一种光刻返工去胶工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶，该光刻胶为正性光刻胶；步骤S02，使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝光；步骤S03，对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。