| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极（6）、漏极电极（5）、栅极电极（4）、栅极绝缘膜（3）和沟道层（2）的薄膜晶体管上，采用电子载流子浓度未满10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的非晶形氧化物作为前述沟道层。 | ||
| 申请公布号 | CN102867855B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201210313635.8 | 申请日期 | 2005.02.28 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，是具有源极电极、漏极电极、栅极电极、栅极绝缘膜和沟道层的薄膜晶体管，其特征在于，前述沟道层采用在室温的电子移动度超过0.1cm<sup>2</sup>/(V·秒)、室温的电子载流子浓度未满10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的非晶形氧化物，前述非晶形氧化物由从In<sub>x</sub>Zn<sub>1‑x</sub>氧化物，其中0.2≤x＜1、In<sub>x</sub>Sn<sub>1‑x</sub>氧化物，其中0.8≤x＜1、或In<sub>x</sub>(Zn、Sn)<sub>1‑x</sub>氧化物，其中0.15≤x＜1选出的氧化物构成，所述非晶形氧化物通过在室温下利用溅镀法或脉冲激光法，在含氧气的气氛中且不添加供提高电阻而用的杂质离子地淀积成膜。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||