| 发明名称 | 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片及其制造方法、以及使用该半导体外延晶片来制造固体摄像元件的方法。本发明的半导体外延晶片100的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射簇离子16，在该半导体晶片10的表面10A形成簇离子16的构成元素固溶而成的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20。 | ||
| 申请公布号 | CN104781918A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201380059268.6 | 申请日期 | 2013.11.11 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 门野武;栗田一成 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;陈岚 |
| 主权项 | 一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片照射簇离子，在该半导体晶片的表面形成所述簇离子的构成元素固溶而成的改性层；以及第二工序，在其中，在所述半导体晶片的改性层上形成第一外延层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||