| 发明名称 | 钨硅靶材的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。本发明的制备方法工艺步骤少，生产速度快。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103695852B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201210374813.8 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种钨硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钨粉和硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材；所述湿混工艺采用钨球作为研磨介质球；所述湿混工艺中所述研磨介质球和混合物料的球料质量比为(2:1)～(5:1)。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 | ||