一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，更换衬底舟和反应室内管，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层以及砷化镓基nMOS结构；步骤5：制作栅氧化物、源极、栅极和漏极，完成硅基III-V族nMOS器件的制备。

主权项

一种硅基III‑V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤，步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：高温砷化镓层生长结束后，降温更换衬底舟和反应室内管，高温退火一定时间后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；其中，在生长半绝缘InGaP层时掺杂剂为二茂铁，半绝缘InGaP层所用的III族源为TMIn和TMGa；所述掺杂剂二茂铁的流量与所述TMIn和TMGa的流量之和的比为1：1000，数量级为1×10^‑8mol/min；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层以及砷化镓基nMOS结构；步骤5：制作栅氧化物、源极、栅极和漏极，完成硅基III‑V族nMOS器件的制备。