发明名称 半导体元件及其制造方法及半导体封装结构
摘要 本发明关于一种半导体元件及其制造方法及半导体封装结构。该半导体元件包括一半导体基板、至少一金属柱、一第一聚合物层及一第二聚合物层。该第一聚合物层包覆这些该金属柱的下半部,因此可降低这些该金属柱断裂及倒塌的风险。此外,该第一聚合物层及该第二聚合物层分别位于该半导体基板的二侧,可避免该半导体基板发生翘曲。
申请公布号 CN102543926B 申请公布日期 2015.07.15
申请号 CN201210064732.8 申请日期 2012.03.13
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 郑斌宏;洪志斌
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种半导体元件,包括:一半导体基板,具有一第一表面及一第二表面;一布线层,位于该半导体基板的第一表面;至少一导通柱,贯穿该半导体基板,且电性连接至该布线层;一钝化层,覆盖并直接接触该布线层且显露部分该布线层;至少一金属柱,邻接该半导体基板的第一表面,且电性连接至该显露的部分该布线层;一第一聚合物层,覆盖且直接接触该钝化层,且该至少一金属柱凸出于该第一聚合物层之外;及一第二聚合物层,邻接该半导体基板的第二表面。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号