用于制造具有埋腔的MEMS器件的方法以及由此获得的MEMS器件

摘要

用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。

主权项

一种用于制造MEMS器件的方法，包括以下步骤：在半导体材料的衬底(2)上形成绝缘层(3)；在形成所述绝缘层(3)之后，形成第一材料的底部区域(4b)；在所述底部区域之上形成牺牲层(6)，所述牺牲层由不同于所述第一材料的材料形成；形成牺牲区域(5a)，其中形成所述牺牲区域(5a)包括在至少一个接触区(8b)中选择性地移除所述绝缘层(3)的一部分和所述牺牲层(6)的一部分；在所述牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)，其中生长所述薄膜区域包括在所述底部区域(4b)上形成接触区域(9c)以及在所述接触区域(9c)之上并在所述薄膜区域(21)的旁边形成接触部分(9b)；蚀刻所述薄膜区域，直至所述牺牲区域，以便形成沟槽(15)，每个沟槽(15)具有由所述薄膜区域定界的侧壁和由所述牺牲区域定界的底部；利用多孔材料层(16)完全和保形地覆盖所述沟槽的所述侧壁和所述底部；通过所述多孔材料层选择性地移除所述牺牲区域的至少一部分，以形成埋腔(18)；以及利用填充材料(20a)填充所述沟槽。