| 发明名称 | 底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102623344B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201210074536.9 | 申请日期 | 2007.11.20 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 林享;加地信幸;薮田久人 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成由SiO<sub>2</sub>制成的第二绝缘膜；对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分；形成要成为源电极和漏电极的电极层；以及对所述电极层进行构图以便形成源电极和漏电极，其中，在对所述电极层进行构图的步骤中，所述第二绝缘膜用作蚀刻阻止体，并且其中，通过控制成膜气体中的氧的量来执行形成所述第二绝缘膜的步骤以使得所述薄膜晶体管表现出10<sup>5</sup>或更大的开/关比。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||