新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法

摘要

本发明涉及微加工领域，其公开了一种旋磁铁氧体材料基片的平整化方法，包括如下步骤：清洗旋磁铁氧体基片；基片放入；腔室抽真空；基片加热；基片表面清洁；制备Si0₂薄膜；基片降至室温后取出。本发明的有益效果是：采用绝缘性能高、表面能级密度低、导热性好、热膨胀系数小的绝缘材料SiO₂、Al₂O₃、MgO，先旋磁铁氧体基片上溅射一层绝缘薄膜，再在旋磁铁氧体基片上制备高可靠性、高稳定性的旋磁铁氧体薄膜微波电路。

主权项

一种新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法，包括如下步骤：（1）清洗旋磁铁氧体基片，使用去离子水在超声波清洗机中对基片进行清洗；（2）基片放入，将旋磁铁氧体基片装入真空腔室；（3）腔室抽真空，开启机械泵、分子泵对真空腔室进行高真空排气处理；（4）基片加热，开启加热器，将旋磁铁氧体基片进行加热处理；（5）基片表面清洁，将旋磁铁氧体基片进行离子轰击处理；（6）制备Si0₂薄膜，充入溅射气氛Ar气，开启溅射电源，进行Si0₂薄膜制备；（7）基片降至室温后取出。