| 发明名称 |
METAL OXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING METAL OXIDE FILM |
| 摘要 |
결정부를 포함하고 매우 안정한 물성을 갖는 금속 산화물 막이 제공된다. 결정부의 크기는 10 nm 이하이고, 이는 측정 범위가 5 nmφ 이상 10 nmφ 이하인 경우 금속 산화물 막의 단면의 나노빔 전자 회절 패턴에서 원주상으로 배치된 스폿의 관찰을 가능하게 한다. |
| 申请公布号 |
KR20150082299(A) |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
| 申请号 |
KR20157012004 |
申请日期 |
2013.10.30 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
TAKAHASHI MASAHIRO;HIROHASHI TAKUYA;TSUBUKU MASASHI;ISHIHARA NORITAKA;OOTA MASASHI |
| 分类号 |
H01L21/02;C23C14/08;H01L21/66;H01L29/04;H01L29/24 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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