一种具有单层辅助层的磁电阻元件

摘要

本实用新型提供了一种具有单层辅助层的磁电阻元件，包括磁参考层、磁记忆层、隧道势垒层、辅助层和保护层。所述磁参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述磁记忆层是单层或多层结构；所述隧道势垒层设置在所述磁记忆层与所述磁参考层之间且分别与所述磁记忆层与所述磁参考层相邻；所述辅助层是金属层且与所述磁记忆层相邻，并且所述辅助层中金属元素的电负性低于所述磁记忆层中金属元素的电负性；所述保护层与所述辅助层相邻。

主权项

一种磁电阻元件，包括磁参考层，所述磁参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；磁记忆层，所述磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述磁记忆层是单层或多层结构；隧道势垒层，所述隧道势垒层设置在所述磁记忆层与所述磁参考层之间且分别与所述磁记忆层与所述磁参考层相邻；其特征在于，还包括辅助层，所述辅助层是电负性低于所述磁记忆层中金属的电负性的金属层，所述辅助层与所述磁记忆层相邻；保护层，所述保护层与所述辅助层相邻。