| 发明名称 | 直接键合的晶格失配的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及直接键合的晶格失配的半导体器件。半导体器件可包含第一组件和第二组件。第一组件可包含第一键合层。第二组件可包含第二衬底和与第一键合层直接键合的第二键合层。第一键合层和第二键合层可相互晶格失配。可选择下列至少之一：第一键合层与第一衬底晶格失配，和第二键合层与第二衬底晶格失配。 | ||
| 申请公布号 | CN104779211A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410741083.X | 申请日期 | 2014.12.08 |
| 申请人 | 波音公司 | 发明人 | D·C·劳;R·R·金;D·D·克鲁特;D·波胡萨利 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;张全信 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包含：第一组件，其包含第一键合层和第一衬底；和第二组件，其包含：第二衬底；和第二键合层，其与所述第一键合层直接键合，其中所述第一键合层和所述第二键合层相互晶格失配，并且其中下列至少之一被选择：所述第一键合层与所述第一衬底晶格失配，和所述第二键合层与所述第二衬底晶格失配。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||