发明名称 |
陶瓷布线基板、半导体装置、及陶瓷布线基板的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种陶瓷布线基板,其具有如下的上下导通体,即,在使陶瓷的前体烧结而以板状形成基板后在基板上形成的上下导通孔内,形成包含高熔点金属的多孔结构体后,熔渗低电阻金属而成,没有异常生长粒子或空隙、裂纹等,具有正常的复合结构,而且不用担心从基板脱落;本发明还提供该陶瓷布线基板的制造方法、以及使用该陶瓷布线基板构成的半导体装置。在基板(3)的形成具有复合结构的上下导通体(4)前的上下导通孔(2)的内面形成包含选自Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、及Hf中的至少1种的中间层(5)。 |
申请公布号 |
CN104781928A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201380059847.0 |
申请日期 |
2013.12.17 |
申请人 |
联合材料公司 |
发明人 |
广濑义幸;杉谷幸爱;胡间纪人;丰岛刚平;上西升 |
分类号 |
H01L23/13(2006.01)I;B22F3/26(2006.01)I;B22F7/06(2006.01)I;C22C5/02(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C27/04(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I;H05K3/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/13(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
葛凡 |
主权项 |
一种陶瓷布线基板,包括:基板,使含有选自Al、及Si中的至少1种的陶瓷的前体烧结而以板状形成;上下导通孔,在所述基板烧结后,贯穿该基板的厚度方向而形成;上下导通体,其填充在所述上下导通孔中,包含含有选自Cu、Ag、及Au中的至少1种低电阻金属、和选自W、及Mo中的至少1种高熔点金属的复合材料;及中间层,其在所述上下导通体与基板之间,将所述两者之间隔开而配设,包含选自Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、及Hf中的至少1种。 |
地址 |
日本东京 |