| 发明名称 | 氮化物半导体外延晶圆和氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够形成电气特性的偏差小的多个氮化物半导体器件的氮化物半导体外延晶圆和氮化物半导体器件。本发明的一个方式提供一种厚度为100μm以上、直径为50mm以上的氮化物半导体外延晶圆(10)，其具有基板(11)和形成于基板(11)之上的、上表面的面方位为(002)面的氮化物半导体层(12)，氮化物半导体层(12)的(002)面或(100)面的X射线摇摆曲线的半峰宽的偏差为30％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104779280A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410829294.9 | 申请日期 | 2014.12.25 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 坂口春典;田中丈士;成田好伸;目黑健 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 一种厚度为100μm以上、直径为50mm以上的氮化物半导体外延晶圆，其具有基板和形成于所述基板之上的、上表面的面方位为(002)面的氮化物半导体层，所述氮化物半导体层的(002)面或(100)面的X射线摇摆曲线的半峰宽的面内偏差为30％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||