半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。第一层（3）设置在第一电极（5）上，并且具有第一导电型。第二层（1）设置在第一层（3）上，并且具有与第一导电型不同的第二导电型。第三层（CLa）设置在第二层（1）上。第二电极（4）设置在第三层（CLa）上。第四层（15）设置在第二层（1）和第三层（Cla）之间，并且具有第二导电型。第三层（CLa）具有第一部分（2）和第二部分（16）。第一部分（2）具有第二导电型，并且具有比第二层（1）的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值。第二部分（16）具有第一导电型。第二部分（16）的面积相对于第一部分（2）和第二部分（16）的总面积所占的比例是20%以上95%以下。

主权项

一种半导体装置，具有：第一电极；第一层，设置在所述第一电极上，并且具有第一导电型；第二层，设置在所述第一层上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；以及第三层，设置在所述第二层上，并且具有第一部分，所述第一部分具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，该半导体装置还具有：第二电极，设置在所述第三层上；以及沟槽结构，设置在所述第一部分中，并且将所述第二电极的电位作为基准被施加正的电位，该半导体装置在所述第二层和所述第三层之间，还具有：第四层，具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，并且具有比所述第一部分的杂质浓度的峰值低的杂质浓度的峰值。