| 发明名称 | 沉积SiO<sub>2</sub>膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在以下条件下沉积无机SiO<sub>2</sub>膜的方法：温度低于250℃，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在包括供应正硅酸四乙酯(TEOS)和O<sub>2</sub>，或其来源，以作为前体的室中，其中O<sub>2</sub>/TEOS比率介于15∶1至25∶1之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102108497B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201010615668.9 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | SPP处理技术系统英国有限公司 | 发明人 | 凯瑟琳·贾尔斯;安德鲁·普赖斯;斯蒂芬·罗伯特·伯吉斯;丹尼尔·托马斯·阿尔卡德 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 一种在以下条件下沉积无机SiO<sub>2</sub>膜的方法：温度低于250℃，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在包括供应正硅酸四乙酯(TEOS)和O<sub>2</sub>作为前体的室中，其中O<sub>2</sub>/TEOS的比率介于15∶1至25∶1之间；其中所述前体是使用RF驱动的喷头沉积的，其中所述喷头使用高频成分和低频成分驱动，并且所述高频成分处于13.56MHz，而所述低频成分为350kHz至2MHz。 | ||
| 地址 | 英国格温特郡 | ||