半导体装置与用于制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及半导体装置与用于制造半导体装置的方法。半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。

主权项

一种显示装置，包括：在衬底之上的像素部分；以及在所述衬底之上的驱动器电路，所述驱动器电路包括：栅极电极层；在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述栅极电极层交叠；在所述氧化物半导体层之上的源极电极层；在所述氧化物半导体层之上的漏极电极层；在所述氧化物半导体层之上的无机绝缘层；在所述无机绝缘层之上的有机绝缘层；以及在所述有机绝缘层之上的透光导电层，所述透光导电层与所述氧化物半导体层交叠，其中所述氧化物半导体层的与所述源极电极层或漏极电极层交叠的区域具有比所述氧化物半导体层中的沟道形成区域的电阻低的电阻，并且其中在所述源极电极层或所述漏极电极层和所述氧化物半导体层的与所述源极电极层或所述漏极电极层交叠的所述区域之间形成低电阻漏极区域。