一种IGBT芯片及其正面铜金属化结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种IGBT芯片及其正面铜金属化结构的制作方法，该IGBT芯片正面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，该制作方法包括：在所述第一子表面之上制作光刻胶图案；在所述第二子表面、所述第三子表面及所述光刻胶图案之上淀积一阻挡层；在所述阻挡层之上淀积一籽铜层；在所述籽铜层之上淀积一铜金属化层；剥离所述光刻胶图案，以去除所述光刻胶图案上方的阻挡层、籽铜层以及铜金属化层；其中，所述第一子表面位于所述第二子表面和所述第三子表面之间。本发明通过剥离光刻胶，同时位于光刻胶图案之上的金属层去除掉，免去了现有技术中对金属层的光刻和刻蚀操作，避免了现有技术中铜难刻蚀的缺陷。

主权项

一种IGBT芯片正面铜金属化结构的制作方法，其特征在于，IGBT芯片正面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，包括，在所述第一子表面之上制作第一光刻胶图案；在所述第二子表面、所述第三子表面及所述第一光刻胶图案之上淀积一阻挡层；在所述阻挡层之上淀积一籽铜层；剥离所述第一光刻胶图案，以去除位于所述第一光刻胶图案之上的阻挡层和籽铜层；在所述第一子表面之上制作第二光刻胶图案；在所述籽铜层之上淀积一铜金属化层；剥离所述第二光刻胶图案；其中，所述第一子表面位于所述第二子表面和所述第三子表面之间。