| 发明名称 |
SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES |
| 摘要 |
<p>마이크로전자 구조물들을 형성하는 방법들이 설명된다. 이들 방법의 실시예들은 스페이서들에 인접한 소스/드레인 구조물들과 스페이서들 사이에 배치된 나노와이어 채널 구조물들 - 나노와이어 채널 구조물들은 서로의 위로 수직으로 스택되어 있음 - 을 포함하는 나노와이어 장치를 형성하는 것을 포함한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR20150082698(A) |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
| 申请号 |
KR20157017708 |
申请日期 |
2011.11.23 |
| 申请人 |
INTEL CORP. |
发明人 |
KUHN KELIN J.;KIM, SEI YON;RIOS RAFAEL;CEA STEPHEN M.;GILES MARTIN D.;CAPPELLANI ANNALISA;RAKSHIT TITASH;CHANG PETER;RACHMADY WILLY |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
